上海新微半导体有限公司

该平台凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性，为新一代高速、高效功率器件应用提供了优异的解决方案。基于该工艺平台代工的产品可广泛应用于消费电子、工业自动化、数据中心及新能源汽车等领域，展现出强大的市场潜力。
该工艺平台采用P帽层栅极和基于化学机械平坦化的钨栓/铝集成电路互联工艺，实现了氮化镓形貌的精准控制与低表面态。HTRB/HTGB/DHTOL等关键可靠性指标符合JEDEC标准，确保了该平台制造的器件能够长期稳定运行。 此外，通过该平台制造的器件性能极具竞争力：低比导通电阻（Rsp）约为350mΩ·mm²，优异的品质因数（Ron·Qg）~300mΩ·nC,实现了低开关损耗与导通损耗的双重突破，为客户带来了显著的成本效益和性能提升。

新微半导体基于自产外延片，提供中压(80V-200V)氮化镓功率工艺平台，具有低栅极电荷和低导通电阻等特性。凭借其高频、低能耗等性能优势，代工产品可广泛应用于数据中心和光伏微型逆变器等众多终端应用领域。

新微半导体基于自产外延片,提供低压(30V-40V)氮化镓功率工艺平台，在导通状态下具有优异的沟道导电性，同时还具有低栅极漏电和相对较高的漏极耐压等卓越特性，代工产品可覆盖广泛的消费电子类终端应用场景。

3月10日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。该平台凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性，为新一代高速、高效功率器件应用提供了优异的解决方案。基于该工艺平台代工的产品可广泛应用于消费电子、工业自动化、数据中心及新能源汽车等领域，展现出强大的市场潜力。

该工艺平台采用P帽层栅极和基于化学机械平坦化的钨栓/铝集成电路互联工艺，实现了氮化镓形貌的精准控制与低表面态。HTRB/HTGB/DHTOL等关键可靠性指标符合JEDEC标准，确保了该平台制造的器件能够长期稳定运行。

此外，通过该平台制造的器件性能极具竞争力：低比导通电阻（Rsp）约为350mΩ·mm²，优异的品质因数（Ron·Qg）~300mΩ·nC,实现了低开关损耗与导通损耗的双重突破，为客户带来了显著的成本效益和性能提升。

新微半导体是一家化合物半导体的代工企业，为客户提供前期设计支持服务，确保产品性能与可靠性达到要求。目前，基于该平台制造的样片性能参数已达到业内先进水平，并通过多家客户的严苛测试，有效加速客户产品的商业化进程。

未来，新微半导体将进一步加大研发投入，提供更具成本效益和高效能的解决方案，进一步提升产品可靠性，满足市场对更快、更轻和更具能源效率电子产品的需求。