东芯半导体股份有限公司

兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到16Gb，1.8V / 3.3V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不同应用场景。在网络通信，智能音箱，机顶盒等领域中广泛应用。

单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。产品现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。产品可提供1.8V / 3.3V两种电压，具备WSON、BGA多种封装形式，不仅能满足常规应用场景，使其在目前日益普及的由电池驱动的移动互联网及物联网设备中保持低功耗，有效延长设备的待机时间，也更灵活地适用于不同应用场景。

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。可广泛应用于各种应用场景。