珠海镓未来科技有限公司

镓未来 GNZ 系列功率 IC 采用自研低损耗无损电流采样技术，相较普通无损电流采样导通损耗降低 30%，有效提升系统效率。其散热焊盘直接连接到初级侧地，具有优异的散热性能；对高集成度应用具有重要参考与实用价值。

该氮化镓功率器件耐压 650V，内阻仅为18mΩ，采用双向导通设计，适用于高压直流母线切换、电池保护、OBC 双向电源等场景，能够显著简化系统拓扑结构，提升整体功率密度。

拓扑：三相TTP PFC（提升功率密度）+ DC Bus Buck-Boost（20ms保持时间）+ 三相交错LLC（降低输出纹波）
1、输入240Vac-305Vac，输出49V-50V/245A
2、满载峰值效率＞97.5%
3、>20ms hold-up time
4、Power Shedding：满足红宝石能效标准，让冗余电源在轻载时不再空转，省电又延寿
5、通过EDPP测试认证：0.5ms内承受180%峰值负载，1A/μs电流变化率下输出电压稳定在47.5-51.5V
6、采用Baby Buck-Boost先进控制算法，将AC输入电流斜坡率限制在20%以内，同时降低母线电压双频纹波，实现电解电容最小化——这是12kW AI 服务器功率密度突破90W/in³的关键技术之一
7、完全符合NVIDIA GPU服务器对EDPP峰值功率（180%/0.5ms）和动态响应（6A/μs）的严苛要求