上海格晶半导体有限公司

该超薄65W GaN充电器基于高频GaN功率器件与高功率密度电源架构设计，在保持小型化与轻薄化外形的同时，实现高效率、高可靠性的快充性能。相比传统硅基充电器，GaN方案具备更低开关损耗与更高工作频率，可有效缩小磁性器件与散热结构尺寸，显著提升功率密度。

产品支持多种快充协议，可广泛适用于手机、平板、笔记本电脑及智能终端设备。通过优化热设计与EMI控制，充电器在高功率输出条件下依然保持稳定、高效运行，为新一代便携式快充产品提供更加轻薄、高效的解决方案。

该大功率APFC电源板基于双向导通GaN器件与高频升压拓扑设计，面向数据中心、电信电源、工业电源及高性能适配器等应用场景。依托GaN器件低导通损耗、低反向恢复损耗及高速开关特性，系统可在高功率运行条件下实现更高转换效率与更优功率因数表现，同时有效降低磁性器件体积与整体系统损耗。
方案采用紧凑化、高功率密度设计理念，通过优化功率回路、散热结构及EMI控制，实现高效率、小体积与高可靠性的平衡。双向导通GaN器件可显著改善传统PFC电路中的反向导通损耗问题，进一步提升系统在高频工作条件下的性能表现，为下一代高效率、高功率密度APFC系统提供先进解决方案。

该高功率密度电源板基于先进GaN功率器件与高频LLC拓扑架构开发，面向数据中心、电信电源、工业电源及新能源等高性能应用场景。方案通过高频化设计与低寄生布局优化，实现了更高转换效率、更优功率密度以及更紧凑的系统尺寸，同时兼顾热管理与系统可靠性。

整板采用模块化与扁平化设计理念，可有效降低系统体积与磁性器件占用空间，适用于对尺寸、效率及散热性能有严苛要求的应用环境。凭借GaN器件高速开关与低损耗优势，电源板在高负载运行条件下依然具备优异的效率表现与动态响应能力，为下一代高性能电源系统提供高效可靠的解决方案。