常规产品
双向器件 INV100FQ030C
产品简介:
VDS max: 100V
RDS(on) typ: 2.3mΩ
Package: FCQFN4x6
采用FCQFN4.0mm x 6.0mm封装的双向硅基GaN增强型高电子迁移率晶体管,具备双向导通和双向关断功能,可应用于48V BMS电池保护、48V总线负载开关系统。
在线会刊
常规产品
双向器件 INV100FQ030C
产品简介:
VDS max: 100V
RDS(on) typ: 2.3mΩ
Package: FCQFN4x6
采用FCQFN4.0mm x 6.0mm封装的双向硅基GaN增强型高电子迁移率晶体管,具备双向导通和双向关断功能,可应用于48V BMS电池保护、48V总线负载开关系统。