2026新品
碳化硅先进材料-低电阻衬底
产品简介：破解碳化硅衬底“低电阻与高缺陷”难以兼得的行业痛点，三安将平均电阻率降至11mΩ·cm（传统20mΩ·cm），层错缺陷≤2%。650V SBD芯片尺寸缩小11%、产出提升12%，1000小时零失效验证。赋能主驱效率提升2-4%、OBC快充、DCDC效率突破98.5%、电动压缩机系统效率提升5?10%。
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产品简介：破解碳化硅衬底“低电阻与高缺陷”难以兼得的行业痛点，三安将平均电阻率降至11mΩ·cm（传统20mΩ·cm），层错缺陷≤2%。650V SBD芯片尺寸缩小11%、产出提升12%，1000小时零失效验证。赋能主驱效率提升2-4%、OBC快充、DCDC效率突破98.5%、电动压缩机系统效率提升5?10%。