广东慧芯电子科技有限公司

慧芯电子推出的高压大电流功率变换的核心器件，融合 MOSFET 的电压驱动与 BJT 的电导调制优势，在 650V–1200V 场景中实现低损耗、高可靠电能转换。该系列采用最新一代的场截止技术，使 IGBT 在低损耗与高负载能力上相比前代产品有大幅提升；同时，器件采用深沟槽、高能离子注入及 Taiko 减薄工艺，实现了超低开关损耗与导通损耗。

慧芯电子 核心采用超结工艺（SJ-MOS） 和屏蔽栅工艺（SG-MOS），区别于中低压 MOSFET 的低阻高频设计，高压 MOSFET 以高耐压余量、优秀的雪崩耐量、高频开关特性、高功率密度为核心优势，主打高压工频电网、新能源高压母线、大功率工业变换等功率级应用，是光伏、风电、新能源汽车、大功率工业电源、高压变频等领域的核心开关器件，替代传统晶闸管、IGBT 在中小功率高压场景的应用，兼具驱动简单、高频化、小型化的特点。

慧芯电子采用先进工艺推出沟槽型高压 MOSFET，具备高耐压余量、优良雪崩耐量、高频开关特性与高功率密度。该系列适用于高压工频电网、新能源高压母线及大功率工业变换等场景，是光伏、风电、新能源汽车、工业电源等领域的核心开关器件。产品电压覆盖 250V~900V，最大电流 150A，导通电阻0.8mΩ~160mΩ，具有低内阻、低热阻、高过电能力等特点。此外，还可提供符合车规 ACE-Q101 标准的车规级功率器件，性能稳定可靠。