2026新品
IGBTs
产品简介：慧芯电子推出的高压大电流功率变换的核心器件，融合 MOSFET 的电压驱动与 BJT 的电导调制优势，在 650V–1200V 场景中实现低损耗、高可靠电能转换。该系列采用最新一代的场截止技术，使 IGBT 在低损耗与高负载能力上相比前代产品有大幅提升；同时，器件采用深沟槽、高能离子注入及 Taiko 减薄工艺，实现了超低开关损耗与导通损耗。
2026新品
IGBTs
产品简介：慧芯电子推出的高压大电流功率变换的核心器件，融合 MOSFET 的电压驱动与 BJT 的电导调制优势，在 650V–1200V 场景中实现低损耗、高可靠电能转换。该系列采用最新一代的场截止技术，使 IGBT 在低损耗与高负载能力上相比前代产品有大幅提升；同时，器件采用深沟槽、高能离子注入及 Taiko 减薄工艺，实现了超低开关损耗与导通损耗。