苏州中瑞宏芯半导体有限公司

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ 和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。

中瑞宏芯推出的Easy1B和Easy2B半桥模块，功率密度高，内部集成NTC，使用高性能的Si3N4 AMB陶瓷基板，热阻低、可靠性高。采用第二代SiC MOSFET芯片，拥有低导通损耗和开关损耗。模块杂感低，抗误导通，对用户的驱动设计和主回路设计更加友好。