苏州中瑞宏芯半导体有限公司

中瑞宏芯碳化硅二极管器件覆盖了从1A-40A， 650V-1700V的应用范围，同时具有TO-220、TO-247、TO-252等多种封装形式。碳化硅二极管在功率转换系统中可提供更高的可靠性和更大的浪涌电流容量，同时，更低的发热特性还电源系统的整体尺寸大大缩小。

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ 和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。

中瑞宏芯推出的Easy1B和Easy2B半桥模块，功率密度高，内部集成NTC，使用高性能的Si3N4 AMB陶瓷基板，热阻低、可靠性高。采用第二代SiC MOSFET芯片，拥有低导通损耗和开关损耗。模块杂感低，抗误导通，对用户的驱动设计和主回路设计更加友好。