2025新品
SiC 单管- 高耐压 SiC MOSFET
产品简介：为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ 和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。
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SiC 单管- 高耐压 SiC MOSFET
产品简介：为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ 和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。