深圳市微碧半导体有限公司

"### 型号应用简介

**PMPB08R6EN-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：PMPB08R6EN-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色。
- **模块**：在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该 MOSFET 可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该器件适用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人和其他便携式设备中的电机控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动的响应速度和效率。
- **模块**：在无人机和机器人中，PMPB08R6EN-VB 可以用于电机驱动模块，确保设备在高负载下稳定运行。

3. **电池管理系统 (BMS)**：
- **应用**：在电池管理系统中，PMPB08R6EN-VB 可用于电池保护电路和充放电控制。其低阈值电压和低导通电阻有助于延长电池寿命并提高系统可靠性。

"### 型号应用简介

**PMPB08R5XN-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧（2mm × 2mm），适合空间受限的设计，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
适用于低侧开关和同步整流等应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（最大漏极电流）**：10A

- **技术**：Trench（沟槽技术）



### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
- **应用场景**：DC-DC 转换器、同步整流、负载开关。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力使其在电源转换中减少能量损耗，提高效率。
- **典型模块**：用于笔记本电脑、服务器电源模块中的同步整流 MOSFET。

2. **电机驱动模块**
- **应用场景**：无人机、机器人、电动工具中的电机驱动。
- **优势**：低 Vth 和高电流能力使其在低电压驱动下仍能提供稳定的性能。
- **典型模块**：用于小型无刷直流电机（BLDC）驱动器的低侧开关。

"### 型号应用简介

**PMPB07R3EN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。其低 Vth 和优异的开关特性使其在高效能电源管理和功率转换领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ
- **ID（漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理。
- **优势**：低导通电阻和高电流承载能力使得该 MOSFET 在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。

2. **DC-DC 转换器**：
- **应用场景**：服务器、通信设备、工业控制系统的 DC-DC 转换器。
- **优势**：优异的开关特性和低 Vth 使得该器件在 DC-DC 转换器中能够实现高效能的电压转换，适用于高频率开关应用。

3. **电池保护电路**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、电动自行车等电池供电设备的保护电路。
- **优势**：高 VDS 和低 RDS(ON) 使得该 MOSFET 在电池保护电路中能够有效防止过充和过放，延长电池寿命。