

深圳市微碧半导体有限公司
Shenzhen VBsemi EIectronics Co.,Ltd
国家和地区: 中国
展位号: N4.229
公司简介:VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下的品牌,专注于MOSFET领域的设计、生产和销售。作为国际知名品牌,VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。
企业以自有的品牌“微碧VBsemi”并以其为核心,积极批量开发,致力服务于中高端市场的终端制造商,整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准,
VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET,封装规格齐全,有:SOP-8、TO252、DFN、TO-220等等一系列的封装产线,参数范围 电压:12V-1700V 电流:0.5A-450A;产品生产严格执行ISO9001国际质量标准,均符合RoHs/REACH环保要求。
其产品广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
作为MOSFET领域的领导者,VBsemi致力于为客户创造价值,通过提供优质的产品和服务,满足客户多样化的需求。
截止目前为止,企业拥有来自世界知名企业及自身培养工程技术人员21名,一线员工400余人,服务团队60余人;服务企业近千家。
在未来,VBsemi将继续秉承创新精神,不断拓展产品线,为全球客户提供更优越的半导体解决方案,为科技进步和产业发展做出贡献。
相关产品
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STB80NF10-VB
"### 型号应用简介
STB80NF10-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用先进的 SGT(Shielded Gate Trench)技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。其封装为 DFN5X6,适用于高密度 PCB 设计,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻仅为 26mΩ,在 VGS=10V 时进一步降低至 21mΩ,能够显著降低功耗并提高系统效率。
### 产品详细参数说明
- **型号名称**: STB80NF10-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时:26mΩ
- VGS=10V 时:21mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT(Shielded Gate Trench)
### 应用领域与模块
1. **电源管理模块**
STB80NF10-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源、AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。例如,在服务器电源或工业电源模块中,该 MOSFET 可以有效降低功率损耗,提高整体效率。
2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中,如电动工具、无人机电机驱动或家用电器中的电机控制,STB80NF10-VB 的高开关速度和低导通电阻能够减少发热并提升驱动性能,适用于 BLDC(无刷直流电机)和步进电机驱动。了解详情
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NVMFS6B14NT1G-VB
"### 型号应用简介
**NVMFS6B14NT1G-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**,采用 **DFN5X6** 封装。
### 产品详细参数说明
- **封装**:DFN5X6
- **沟道类型**:Single-N
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **典型阈值电压(Vthtyp)**:1.8V
- **导通电阻(VGS=4.5V)**:26mΩ
- **导通电阻(VGS=10V)**:21mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:30A
- **技术**:SGT(Shielded Gate Trench)
### 应用领域与模块
1. **电源管理模块**:
- **NVMFS6B14NT1G-VB** 由于其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源适配器** 中的 **同步整流** 和 **开关电源** 模块。在这些应用中,MOSFET 的高效开关特性和低功耗表现能够显著提升整体电源系统的效率。
2. **电机驱动模块**:
- 在 **电机驱动** 应用中,如 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业自动化设备**,该 MOSFET 能够提供稳定的高电流输出,确保电机在各种负载条件下的可靠运行。其高电压耐受性和低导通电阻使其在电机驱动电路中表现出色。了解详情
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DMNH10H028SPSWQ-VB
"### 型号应用简介
**型号名称:DMNH10H028SPSWQ-VB**
**品牌:VBsemi**
**封装:DFN5X6**
**沟道类型:Single N-Channel**
**VDS(漏源电压):100V**
**VGS(栅源电压):±20V**
**Vth(阈值电压):1.8V**
**RDS(ON)(导通电阻):VGS=4.5V时为26mΩ,VGS=10V时为21mΩ**
**ID(漏极电流):30A**
**技术:SGT(Shielded Gate Trench)**
### 应用领域和模块
1. **电源管理模块**
DMNH10H028SPSWQ-VB 适用于各种电源管理模块,如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统。其高电压和高电流处理能力使其成为高效电源转换的理想选择。例如,在电动汽车的电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于电池的充放电控制,确保电池的高效和安全运行。
2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中,DMNH10H028SPSWQ-VB 可以用于驱动各种类型的电机,如直流电机、步进电机和伺服电机。其低导通电阻和高电流处理能力有助于减少电机驱动过程中的功率损耗,提高电机效率。例如,在工业自动化设备中,该 MOSFET 可以用于驱动伺服电机,确保设备的高精度和高效率运行。
3. **LED 驱动模块**
DMNH10H028SPSWQ-VB 也适用于 LED 驱动模块,特别是在高功率 LED 应用中。其高电压和高电流处理能力使其成为高效 LED 驱动的理想选择。例如,在户外照明系统中,该 MOSFET 可以用于驱动高功率 LED 灯,确保照明系统的高亮度和长寿命。了解详情
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