产品简介："### 型号应用简介

STB80NF10-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。其封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻仅为 26mΩ，在 VGS=10V 时进一步降低至 21mΩ，能够显著降低功耗并提高系统效率。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STB80NF10-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
STB80NF10-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源、AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。例如，在服务器电源或工业电源模块中，该 MOSFET 可以有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机驱动或家用电器中的电机控制，STB80NF10-VB 的高开关速度和低导通电阻能够减少发热并提升驱动性能，适用于 BLDC（无刷直流电机）和步进电机驱动。