深圳市美丽微半导体有限公司

美丽微半导体提供车规级 MOSFET 解决方案，专为电动汽车（EVs）、混合动力汽车（HEVs）及智能网联汽车系统中的高效电源管理而设计。凭借低 RDS(on)、快速开关性能和可靠的热特性，美丽微 MOSFETs 可帮助提升关键汽车应用中的系统效率与功率密度。依托我们的集成器件制造商（IDM）模式和专有封装技术，我们支持产品在严苛车用环境中实现稳定可靠的性能。

核心产品系列
AEC-Q101 合规性：美丽微车用 MOSFETs 按照 AEC-Q101 要求进行设计，可在高温、振动和电应力等严苛条件下确保长期可靠性。
N 沟道与 P 沟道 MOSFETs：针对低 RDS(on)、快速开关和高效热性能进行优化，适用于汽车电源系统。
互补式 MOSFETs：在单一封装中集成 N 沟道与 P 沟道解决方案，适用于空间受限的直流电机驱动应用，例如电动车窗、电动座椅及其他车身控制系统。
先进封装：专有高性能封装有助于降低寄生电感，并提升功率密度，满足紧凑型、高效率车用设计需求。

美丽微半导体的碳化硅 MOSFET 产品系列涵盖了从 650V 到 3300V 的更宽电压范围，其采用了先进的技术平台，将出色的开关性能与极低的单位面积导通电阻相结合。将创新的宽禁带材料的优势融入您的下一个设计中。

G1 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 1200V-3300V
Rds(on): 25mΩ-1Ω
Tj: -55-150°C
Vth: +20V/-5V

G2 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 650V-3300V
Rds(on): 11mΩ-240mΩ
Tj: -55-170°C
Vth: +18V/-5V

G3 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 650V-3300V
Rds(on): 7mΩ-40mΩ
Tj: -55-220°C
Vth: +18V/-5V

G4 SiC+JFET Combo
Features:
Technology: Trench
Vds: 1200V-3300V
Rds(on): 2x Lower than SiC
Gate Driver:Compatible

美丽微半导体的碳化硅肖特基势垒二极管在高性能电源转换领域提供业界领先的效率和可靠性。产品电压范围涵盖650V至1200V，并提供单管与双管灵活配置。依托宽禁带材料的先天特性，我们的二极管在提升转换效率的同时，显著增强了系统的长期可靠性。

更低损耗：接近零的反向恢复特性和优化的正向电压（VF），显著降低开关及导通损耗，提升电源转换效率。
简化散热：超低的功率损耗直接带来更少的热量产生，简化热管理设计，降低系统成本。
更小体积：强大的IFSM能力和高功率密度，让您在有限空间内实现更高的输出功率，助力紧凑型设计。
稳定运行：支持高达175°C的结温工作，确保器件在高温等严苛环境下长期稳定可靠。