产品简介：美丽微半导体的碳化硅 MOSFET 产品系列涵盖了从 650V 到 3300V 的更宽电压范围，其采用了先进的技术平台，将出色的开关性能与极低的单位面积导通电阻相结合。将创新的宽禁带材料的优势融入您的下一个设计中。

G1 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 1200V-3300V
Rds(on): 25mΩ-1Ω
Tj: -55-150°C
Vth: +20V/-5V

G2 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 650V-3300V
Rds(on): 11mΩ-240mΩ
Tj: -55-170°C
Vth: +18V/-5V

G3 SiC
Features:
Technology: Planer
Vds: 650V-3300V
Rds(on): 7mΩ-40mΩ
Tj: -55-220°C
Vth: +18V/-5V

G4 SiC+JFET Combo
Features:
Technology: Trench
Vds: 1200V-3300V
Rds(on): 2x Lower than SiC
Gate Driver:Compatible