扬州国宇电子有限公司

1、典型产品
Parameter VR VF IR Ctot Rs@IF Chip Size
Unit [V] [V] [μA] [pF] [Ω] [µm*µm]
Product Min Typ Max Max Max
GSMP1322 50 0.85@10mA 10 1.0@50V
1.5@1mA
400*400
GSMP1320 50 0.85@10mA 10 0.3@50V
0.9@10mA
400*400
GP100C0050 100 1.2@10mA 10 0.05@50V 2.0@10mA 380*380
GP250C0500 250 1@10mA 1 0.3@50V 0.8@50mA 550*550
GP500C0400 500 1.2@10mA 1 0.5@38V 1@100mA 550*550
GP1000C0700 1000 1.2@10mA 1 0.6@100V 1@100mA 685*685
2、产品特色
（1）电压范围：50V~1000V；
（2）正面金属为Au或Al系多层金属，背面金属为Au系多层金属；
（3）采用成熟的硅基PIN二极管技术，拥有严格控制的I层，具有开关速度快、可控功率大、损耗小等优点；
（4）多种封装形式，包括：SOD-523，SOT-323，SOT-23，SOD-323等。
3、产品用途
射频PIN二极管（RF PIN Diodes）广泛应用于在各种高性能射频和微波电路中，如Wifi6开关、IOT射频开关、跳频电台开关等。

1、典型产品
产品系列 结温（℃） 额定电压（V） 额定电流（A） 芯片尺寸（mil）
R 125℃ 20~65 1~15 32~122
P 150℃ 45~105 1~15 28~141
M 150℃ 45~105 2~10 40~98
H 175℃ 45~250 1~100 26~275
S 175℃ 45~205 1~100 26~275

2、产品特色
（1）电压范围：20V~250V，电流范围1A~100A，最高结温175℃；
（2）采用先进的硅外延平面工艺制程，导通压降低、开关速度快，以及优异的抗静电能力和浪涌电流承受能力；
（3）三种结温五个系列产品供客户选择，满足正向导通压降和反向漏电的权衡。
3、产品用途
肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diodes，SBD）可用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也可在微波通信等电路中作为整流二极管、小信号检波二极管使用。

1、典型产品
产品型号 电阻值（Ω） 额定电压（V） 额定功率（W） 温度系数TCR
（PPM/℃）
GR60600500JU 5Ω 75 3 -500~+500
GR60601000JU 10Ω 75 2 -500~+500
2、产品特色
（1）电阻值：5Ω、10Ω；额定电压75V，额定功率2~3W；温度系数TCR：-500~+500PPM/℃；
（2）氮化钽薄膜电阻具有高精度、高稳定性、抗湿抗硫特性、工作温度范围宽、优良的电器性能等特点；
（3）拥有5Ω、10Ω两个系列产品。
3、产品用途
氮化钽薄膜电阻（IGBR）在SIC MOSFET中与栅极串联，可用于提高电路的稳定性和可靠性、优化工作效率、调整输出特性、构建过流保护电路等。