产品简介：1、典型产品
产品型号 电阻值（Ω） 额定功率（W） 温度系数TCR（PPM/℃）
GR40400500JU 5Ω 3 -500~+500
GR60601000JU 10Ω 2 -500~+500
GR60600108JU 1.8Ω 2 -500~+500
GR80801500KU 15Ω 2 -250~+250
2、产品特色
（1）尺寸：40mil、60mil、80mil；电阻值：1.8Ω~15Ω；额定功率2~3W；温度系数TCR：最低250PPM/℃；
（2）氮化钽薄膜电阻具有高精度、高稳定性、抗湿抗硫特性、工作温度范围宽、优良的电器性能等特点；
3、产品用途
氮化钽薄膜电阻（IGBR）在SIC MOSFET中与栅极串联，可用于提高电路的稳定性和可靠性、优化工作效率、调整输出特性、构建过流保护电路等。