上海雷卯电子科技有限公司

一、ESD的简介
防静电保护元件,简称ESD。主要用于保护通信接口的静电保护，静电产生原因:
a．两物质经由接触摩擦而失去电子或得到电子，使带（不流动）的电荷称之静电;
b. 因开关电或雷击间接诱发的突波也是静电产生原因;
c. 温湿度影响摩擦生电，在低于45℃时，会产生比高于55℃的湿度下更大的电压，破坏性也相对较大。
国际标准规定,设备必须符合静电标准如下:
IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test: Air discharge:土15kV，Contact discharge: ±8kV
IEC61000-4-4 (EFT)* A@(5/50ns)
IEC61000-4-5 (Lightning)* A@ (8/20us)
二、ESD的选型技巧
1. Vrwm大于或等于电路额定工作电压;
2．电容Cp有大有小,以通信接口传输数据不丢包为最佳;
3．功率 Power=Vc*IPP*功率因素，Vc接近Vb为好;
4. Ipp大更好，lpp选择多大决定于产品使用环境;
5．根据喜好选择封装外形、单路或多路。

一、测试标题TVS的简介

瞬态电压抑制二极管，简称TVS。当TVS两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以1012 s的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

二、TVS的选型技巧

1. TVS 的Vrwm应高出10%以上的被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端"容限。若选用的Vrwm太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。

2.TVS的Vc应小于被保护电路的损坏电压。

3.TVS的功率Ppp应大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。

4. TVS 的Ipp应大于电路瞬态浪涌电流。

5.对于数据接口电路的防雷保护，建议选用低电容的半导体ESD。

6.根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用半导体ESD阵列更为有利。

一 、MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET.是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET广泛用于电路电子开关。

二、MOSFET的选用技巧

1.选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑;

2.额定电压越大，器件的成本就越高，Vos必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线;
3.确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流;

4.选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像-一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由lload2xRDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，Ros(ON)就 会越小;反之Rps(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意Ros(ON)电阻会随着电流轻微上升;

5.决定开关性能， 是栅极/漏极、栅极/源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

信号保护方案：
1.1.1USB2.0静电保护方案
1.1.2USB2.0静电保护方案(2)
1.2双USB2.0静电保护方案
1.3 USB3.0 / TYPE-C静电保护单颗方案.
1.4 USB3.0 / TYPE-C静电滤波保护方案静电保护多颗方案
1.5手机USB端口静电浪涌保护方案.
1.6 USB带快充静电保护电压5V 12V 36V
1.7 USB3.0 / TYPE-C静电滤波保护方案
1.8 USB3.1第二代接口的静电保护方案
1.9 USB2.0-USB3.1接口的静电保护方案
1.10 USB-PD快充电源静电浪涌保护方案
1.11 USB4高速接口静电浪涌保护方案
2.1万兆网1 0G接口静电保护方案
2.2万兆网1 0G防雷保护方案
2.3干兆网分立式防雷保护方案
2.4干兆网集成式防雷保护方案
2.5干兆网小体积静电保护方案
2.6百兆网分立式防雷保护方案
2.7百兆网集成式防雷保护方案
2.8百兆网分立式静电保护方案
2.9百兆网集成式静电保护方案
2.10.1 POE室外防雷6KV保护方案
2.10.2 POE室外4KV防雷保护方案
2.11 POE供电浪涌保护方案
2.12车载以太网防护方案
3.1模拟视频静电保护方案
3.2 S-VIDEO接口静电浪涌保护方案
3.3 YPbPr/ YCbCr接口静电浪涌保护方案.
4.1低速MIPI屏静电保护方案
4.2中低速MIPI接口静电保护方案
4.3高速MIPI接口静电保护方案
5.1 LVDS接口静电保护方案
6.1 HDMI2.0静电保护方案
6.2 HDMI2.0静电滤波保护方案
6.3 HDMI1.3 1.4静电滤波保护方案
6.4 HDMI1.3 1.4静电保护方案.
7.1 DVI视频静电保护方案
8.1 VGA视频静电保护方案
9.1 SIM卡静电保护方案
9.1.2 SIM卡 静电保护方案二
9.2 SD卡静电保护方案
9.2.1.SD卡静电保护方案(低电容)
9.2.2 SD/TF卡SD模式静电保护方案
10.1 MMC卡静电保护方案
11.1 PROFIBUS卡静电保护方案
12.1 eSATA接口静电保护方案
12.2 eSATA接口静电保护方案2
13.1 T1 E1接口静电浪涌保护方案
14.1 I0接口静电保护方案
14.2 MCU串口UART分立式静电保护方案
14.3 MCU串口UART集成式静电保护方案
15.1 Keyboard按键分立器件静电保护方案
15.2 Keyboard按键集成器件静电保护方案
16.1 CAN静电保护方案
16.2 CAN接口隔离与静电保护方案.
16.3 CAN静电滤波保护方案
16.4 CAN接口静电浪涌保护方案
17.1麦克风静电保护方案
18.1 RS485静电保护方案
18.2 RS485浪涌保护方案.
18.3 RS485接口隔离与静电保护方案
18.4 RS485浪涌滤波保护方案
18.5 RS422 RS485静电浪涌保护方案
19.1 RS422静电保护方案
19.2 RS422数据线带电源静电浪涌保护方案.
20.1 RS232静电保护方案
20.2 RS232浪涌保护方案
20.3 RS232接口隔离与静电保护方案
20.4 RS232数据线带电源静电浪涌保护方案
20.5 RS232 接口分立式静电保护方案
20.6 RS232 接口分立式浪涌静电保护方案
21.1 RF天线静电浪涌保护方案
22.1 WIFI天线静电浪涌保护方案
22.2 NB-IoT天线静电浪涌保护方案
23.1手机VBAT静电浪涌保护
24.1 I2C接口隔离与静电保护方案
25.1 SPI接口隔离与静电保护方案
26.1 JTAG接口静电保护方案5V
26.2 JTAG接口静电保护方案3.3V
27.1 FlexRay车载网络静电防护方案
28.1指纹识别静电保护方案
29.1 Coaxial浪涌保护方案
30.1 GPS(全球定位系统)浪涌保护方案
31.1 CVBS接口保护方案
32.1 LIN总线静电保护方案
33.1 NFC接口静电保护方案
34.1 VIDEO静电浪涌保护方案
35.1 RJ1 1浪涌保护方案
36.1 TTL静电保护方案
37.1 HD-SDI保护方案
38.1 SLIC接口电路保护LM61089A/B/Q
电源保护方案：
1.0 1.8V VCC电源静电保护方案
1.1 2.5V Vbus电源静电保护方案
2.1 3.3V Vbus电源静电保护方案
3.1 3.7V锂电静电浪涌保护方案
4.1 5V直流电源浪涌保护方案
5.1 9V直流电源浪涌保护方案
6.1 12V直流电源浪涌保护方案
6.2 12V汽车电源浪涌保护方案
7.1 1 5V直流电源浪涌保护方案
8.1 1 8V直流电源浪涌保护方案
9.1 24V直流电源浪涌保护方案
9.2 24V汽车电源浪涌保护方案
9.3 24V DC直流电源防雷2KV,小体积低残压方案
9.4 28V直流电源浪涌保护方案
10.1 36V直流电源浪涌保护方案
11.1 48V直流电源浪涌保护方案
11.2室外设备直流DC 48V/60V电源防雷方案
11.3 DC64V直流电源6KV浪涌保护方案.
11.4 -48VDC无续流电源浪涌保护方案
12.1 AC 110V交流电源浪涌保护方案
12.2 AC 220V交流电源浪涌保护方案
13.1 AC 380V交流电源浪涌保护方案
14.1 LED电源整流方案
15.1手机快充PD / TYPE-C接口保护.
15.2 USB-PD快充电源接口静电浪涌保护方案.
16.1苹果充电线电路保护
17.1低VF肖特基电源防反接保护方案
17.2低IR肖特基电源防反接保护方案
18.1 DCDC直流转换电源浪涌保护方案
19.1碳化硅SIC新能源汽车充电桩方案
20.1车辆点火系统防雷防静电防反接方案
热门方案：
1.1 电力载波PLC模组应用方案
1.2载波信号浪涌防护方案
2.1 传感器（4-20mA）静电防护方案
3.1 蓝牙音箱控制板静电浪涌保护方案
3.2 TWS无线蓝牙耳机静电浪涌保护方案
4.1雷达模组LMXBR202010电路方案
5.1 LC03-6用于T1，T3/E3，10M/100M，高速驱动线路， ISDN-S/U接口线路静电浪涌保护方案
6.1 LED智能照明的电源模块及开路保护方案
7.1 显示屏花屏死屏的防静电方案
8.1 氮化镓GaN静电浪涌防护方案
9.1 智能手表 活动追踪器
10.1 耳机接口静电保护方案
10.2 TWS无线蓝牙耳机接口静电保护方案
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TI德州仪器
ON-SEMI安森美
Nexperia安世
NXP恩智浦
ST意法
Infineon英飞凌
Littelfuse力特
SEMTECH
Vishay威世
Wurth伍尔特
Bourns伯恩斯
Diodes美台
PROTEK
ROHM罗姆
Murata村田
TDK东电化
TOSHIBA东芝
KEC
晶焱AMAZING
君耀Brightking
典琦Comchip
台半Taiwan Semiconductor
强茂PANJIT
美国万代(AOS)
竹懋CITC

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