上海雷卯电子科技有限公司

一、ESD的简介
防静电保护元件,简称ESD。主要用于保护通信接口的静电保护，静电产生原因:
a．两物质经由接触摩擦而失去电子或得到电子，使带（不流动）的电荷称之静电;
b. 因开关电或雷击间接诱发的突波也是静电产生原因;
c. 温湿度影响摩擦生电，在低于45℃时，会产生比高于55℃的湿度下更大的电压，破坏性也相对较大。
国际标准规定,设备必须符合静电标准如下:
IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test: Air discharge:土15kV，Contact discharge: ±8kV
IEC61000-4-4 (EFT)* A@(5/50ns)
IEC61000-4-5 (Lightning)* A@ (8/20us)
二、ESD的选型技巧
1. Vrwm大于或等于电路额定工作电压;
2．电容Cp有大有小,以通信接口传输数据不丢包为最佳;
3．功率 Power=Vc*IPP*功率因素，Vc接近Vb为好;
4. Ipp大更好，lpp选择多大决定于产品使用环境;
5．根据喜好选择封装外形、单路或多路。

一、测试标题TVS的简介

瞬态电压抑制二极管，简称TVS。当TVS两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以1012 s的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

二、TVS的选型技巧

1. TVS 的Vrwm应高出10%以上的被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端"容限。若选用的Vrwm太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。

2.TVS的Vc应小于被保护电路的损坏电压。

3.TVS的功率Ppp应大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。

4. TVS 的Ipp应大于电路瞬态浪涌电流。

5.对于数据接口电路的防雷保护，建议选用低电容的半导体ESD。

6.根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理;多线保护选用半导体ESD阵列更为有利。

一 、MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET.是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET广泛用于电路电子开关。

二、MOSFET的选用技巧

1.选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑;

2.额定电压越大，器件的成本就越高，Vos必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线;
3.确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流;

4.选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像-一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由lload2xRDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，Ros(ON)就 会越小;反之Rps(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意Ros(ON)电阻会随着电流轻微上升;

5.决定开关性能， 是栅极/漏极、栅极/源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。