产品简介：一 、MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET.是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET广泛用于电路电子开关。

二、MOSFET的选用技巧

1.选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑;

2.额定电压越大，器件的成本就越高，Vos必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线;
3.确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流;

4.选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像-一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由lload2xRDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，Ros(ON)就 会越小;反之Rps(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意Ros(ON)电阻会随着电流轻微上升;

5.决定开关性能， 是栅极/漏极、栅极/源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。