产品简介："### 一、产品简介

CSD17313Q2-VB是一款高效能的单N沟道功率MOSFET，采用DFN6 (2x2)封装。这款MOSFET专为低电压应用设计，具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）承受能力。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V时为27mΩ，在VGS=10V时为23mΩ，最大漏极电流（ID）为6A。CSD17313Q2-VB采用Trench技术，提供了较低的导通电阻和优良的电流处理能力，适用于需要高效能和紧凑设计的电子应用中。

### 二、详细参数说明

- **型号：** CSD17313Q2-VB
- **封装类型：** DFN6 (2x2)
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 30V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 27mΩ @ VGS=4.5V
- 23mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）：** 6A
- **技术：** Trench

### 三、应用领域和模块

CSD17313Q2-VB MOSFET因其紧凑的封装和优异的电气性能，非常适合以下应用领域和模块：

1. **移动设备和消费电子：**
- **智能手机和平板电脑：** 适用于这些设备中的电源管理模块，如低电压电源开关，确保设备在较低功耗的情况下稳定运行，提高电池寿命。
- **便携式充电器：** 在便携式充电器中，CSD17313Q2-VB可用于高效电力管理，提供快速充电功能，同时保持低热量和高效能。

2. **电源管理模块：**
- **DC-DC转换器：** 适合用于紧凑型DC-DC转换器中，CSD17313Q2-VB的低导通电阻有助于提高电力转换效率，减少功率损耗。