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DMC2004DWK-7-VB
产品简介:"### DMC2004DWK-7-VB 产品简介
DMC2004DWK-7-VB 是一款具有双极性配置的 MOSFET,封装为 SC70-6。这款 MOSFET 包含一个 N 沟道和一个 P 沟道晶体管,适用于需要正负电压控制的电路。其最大漏极源极电压(VDS)为 ±20V,适合中低电压应用。DMC2004DWK-7-VB 采用 Trench 技术,具有优良的导通阻抗特性和高开关速度,能够在小型封装中提供高效的功率管理。
### 详细参数说明
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双极性 N 沟道 + P 沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: ±20V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: N 沟道 1.0V / P 沟道 -1.2V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- N 沟道: 110mΩ @ VGS = 2.5V
- N 沟道: 90mΩ @ VGS = 4.5V
- P 沟道: 190mΩ @ VGS = 2.5V
- P 沟道: 155mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:
- N 沟道: 3.28A
- P 沟道: -2.8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电池供电设备**:
DMC2004DWK-7-VB 适用于电池供电的设备中,如便携式电子产品和移动设备。由于其低导通阻抗和小型封装,它可以高效地在电池供电的条件下管理电流和控制电源。
2. **负载开关**:
在负载开关应用中,这款 MOSFET 能够控制电流流向并切换负载。其双极性配置使其特别适合于需要正负电压控制的场合,如开关电源模块和电源管理电路。