产品简介："### DMN2004WK-7-VB 产品简介

DMN2004WK-7-VB 是一款单极性 N 沟道 MOSFET，封装为 SC70-3，专为低压、小型化应用设计。该 MOSFET 具有最大 20V 的漏极源极电压（VDS）和 ±12V 的栅源极电压（VGS）。其阈值电压（Vth）在 0.5V 至 1.5V 之间，适合低电压开关操作。DMN2004WK-7-VB 使用 Trench 技术制造，提供了低导通阻抗和较高的电流处理能力，适用于高效能和紧凑型电子设备中的应用。

### 详细参数说明

- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单极性 N 沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: 20V
- **最大栅源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **便携式电子设备**:
DMN2004WK-7-VB 由于其小型 SC70-3 封装和高效能特性，非常适合在便携式电子设备中使用。例如，它可以用于智能手机、便携式音频设备以及其他需要高效电源管理的小型电子产品。

2. **负载开关**:
在负载开关应用中，该 MOSFET 可以用来控制中等电流负载，如 LED 照明、低功耗电机和继电器。其低导通阻抗和高开关速度使其能够在开关操作中提供稳定的性能。