产品简介："### 产品简介

**FDA28N50-VB** 是一款高电压 N-Channel MOSFET，封装为 TO3P。它具有 600V 的漏源电压（VDS），适用于高电压的开关和调节应用。该 MOSFET 支持最大 ±30V 的门源电压（VGS），并采用 SJ_Multi-EPI 技术，提供了较低的导通电阻（RDS(ON)）和较高的电流承载能力（ID）。FDA28N50-VB 设计用于处理高电压和高电流应用，能够在各种高功率电子设备中稳定运行。

### 详细参数说明

- **型号**: FDA28N50-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 600V
- **门源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 60mΩ（VGS = 10V）
- **漏源电流 (ID)**: 47A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

1. **开关电源**: 在高电压开关电源中，FDA28N50-VB 的 600V 漏源电压和低导通电阻（RDS(ON) = 60mΩ）使其非常适合用于电源转换和调节。它能够处理高电压和大电流，提升电源的效率和稳定性，适合用于电力转换模块。

2. **电机驱动**: 对于需要高电压和大电流的电机驱动应用，FDA28N50-VB 可以作为主要的开关元件。其 47A 的漏源电流和低导通电阻能够有效驱动电机，适用于高功率电机驱动系统，如工业电机驱动和高功率电动工具。