产品简介："### FDB33N25TM-VB MOSFET 产品简介

FDB33N25TM-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO263封装。这款MOSFET设计用于中等电压应用，具有250V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为3.5V，确保在较低的栅源电压下即可开启。FDB33N25TM-VB的导通电阻（RDS(ON)）为40mΩ，在栅源电压为10V时，能够提供稳定的开关性能和高电流处理能力，最大漏极电流（ID）可达到60A。采用Trench技术，该MOSFET具备较低的功耗和高效的开关性能，适合各种中电压应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**: 250V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 40mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**: 60A
- **技术类型**: Trench

### 应用领域与模块

1. **中高压DC-DC转换器**: FDB33N25TM-VB非常适用于中高压DC-DC转换器。其250V的漏源电压和40mΩ的低导通电阻使其能够在高电压环境下稳定运行，提供高效的电源转换和电流控制。

2. **电源管理系统**: 在电源管理系统中，FDB33N25TM-VB可以有效管理和控制电源，尤其是在需要处理中等电压和高电流的情况下。其高电流处理能力（60A）和低功耗特点使其成为优选组件。

3. **高电压开关应用**: FDB33N25TM-VB适用于需要高电压开关控制的应用。其250V的漏源电压和稳定的开关性能使其能够可靠地控制高电压负载，确保系统的稳定性和效率。