产品简介："### 一、FDG6301N-VB 产品简介

FDG6301N-VB 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，封装为紧凑型 SC70-6 封装。它具有最高 20V 的漏源电压 (VDS) 额定值，适用于低电压的开关和驱动应用。

### 二、FDG6301N-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SC70-6
- **配置**: 双 N 沟道 (N+N)
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 110mΩ @ VGS = 2.5V
- 86mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2.6A
- **技术**: Trench

### 三、FDG6301N-VB 应用领域与模块

1. **低功耗开关电路**: FDG6301N-VB 在低功耗开关电路中表现出色，适用于移动设备、便携式电源和低电压应用。其低导通电阻和高开关速度使其能够高效控制小功率负载，广泛应用于手机、平板电脑和其他消费电子产品中。

2. **电源管理系统**: 在电源管理系统中，这款 MOSFET 可用于电源开关和电流限制功能。其低导通电阻和低阈值电压特性使其在低功耗和高效率的电源管理模块中表现优异，例如在电池管理系统和小型电源适配器中。

3. **LED 驱动**: FDG6301N-VB 在 LED 驱动电路中也很有用。其低导通电阻确保了高效的 LED 驱动，适合于各种低功耗照明应用，如背光源和小型 LED 照明模块，能够提高系统的整体效率和稳定性。