产品简介："### 产品简介

**FDMC2523P-VB** 是一款采用 **DFN8(3X3)** 封装的单极性 P 通道 MOSFET。它具有高耐压和较高的电流承受能力，非常适合用于需要高电压保护的电路。该 MOSFET 使用 **Trench** 技术，提供了良好的开关性能和高耐压特性，能够满足高电压应用的要求。其漏源电压高达 **-200V**，使其在高电压环境下仍能稳定工作，适用于各种需要高电压耐受和可靠性的应用场景。

### 详细参数说明

- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单极性 P 通道
- **漏源电压 (VDS)**: -200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 2400mΩ
- @ VGS = 10V: 2000mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: -3.6A
- **技术**: Trench

### 适用领域和模块

**FDMC2523P-VB** 的高耐压和较高的电流能力使其特别适合以下领域和模块：

1. **高压电源管理**: 在高电压电源系统中，如电源适配器和电压转换模块，FDMC2523P-VB 可以用作开关元件，以处理高达200V的电压，确保系统的稳定性和安全性。

2. **工业电源**: 在工业设备和控制系统中，该 MOSFET 的高电压耐受特性使其适用于要求高电压和高可靠性的场合，如电机驱动和功率放大器。

3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，如电源分配和电池管理模块，FDMC2523P-VB 能够承受高电压和高电流，有助于提升系统的稳定性和性能。