产品简介："### 产品简介

FDN302P-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单通道 P 型 MOSFET，专为低电压应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 -20V，栅源电压 (VGS) 额定值为 ±12V。该器件具有低栅极阈值电压 (Vth) 为 -0.8V，能够在低栅驱动电压下保持良好的导通性能。导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 80mΩ、65mΩ 和 60mΩ，取决于 VGS 的不同值 (2.5V、4.5V 和 10V)。其最大漏极电流 (ID) 为 -4A，采用了先进的 Trench 技术，以实现高效、低损耗的性能。

### 参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单通道 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块举例

1. **低电压电源开关**: FDN302P-VB 可广泛用于低电压电源开关和负载开关应用。其低导通电阻在低栅电压下提供高效的电流控制，适用于电池供电的便携式设备和低电压电子产品中的开关功能。

2. **电池保护**: 在电池管理系统中，该 MOSFET 可用作过流保护开关，帮助防止过流情况对电池造成损害。其低导通电阻和高电流能力确保保护电路在过载情况下可靠地工作。