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常规产品

FQD3P50TM-VB

产品简介:"### FQD3P50TM-VB MOSFET 产品简介

**FQD3P50TM-VB** 是一款高电压单管P型MOSFET,封装形式为TO-252,采用Plannar技术制造。该MOSFET 具备高达-500V的漏源电压(VDS)耐受能力,栅源电压(VGS)范围为±20V,适用于高电压开关应用。其门槛电压(Vth)为-3V,在VGS = 10V时,导通电阻(RDS(ON))为3900mΩ,而在VGS = 4.5V时为4875mΩ。最大漏电流(ID)为-2A,适合需要高电压和中等电流的电路设计。

### 详细参数说明

- **封装**: TO-252
- **配置**: 单管P型
- **VDS(漏源电压)**: -500V
- **VGS(栅源电压)**: ±20V
- **Vth(门槛电压)**: -3V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 4875mΩ @ VGS = 4.5V
- 3900mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏电流)**: -2A
- **技术**: Plannar

### 应用示例

**FQD3P50TM-VB** MOSFET 的高电压和中等电流特性使其适用于多个领域和模块,具体应用如下:

1. **高电压开关电源**: 在高电压开关模式电源(SMPS)中,FQD3P50TM-VB 可以作为开关元件处理高达-500V的电压,适用于高电压电源系统中的电流开关和控制。

2. **电池保护电路**: 在高电压电池保护电路中,FQD3P50TM-VB 可用于高电压电池组的保护和控制,确保电池的安全充放电操作。

3. **工业负载开关**: 该MOSFET 适用于工业设备中的高电压负载开关,例如电动机控制系统中的负载开关,能够处理高电压负载的开关操作。