产品简介："### FQP6N90C-VB MOSFET 产品简介

FQP6N90C-VB 是一款高电压 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装，专为高电压和中等电流应用设计。该 MOSFET 最大漏极-源极电压（VDS）为 900V，能够处理高电压环境。其采用 SJ_Multi-EPI 技术，使得导通电阻（RDS(ON)）在 VGS=10V 时为 1500mΩ，提供稳定的开关性能。门槛电压（Vth）为 3.5V，栅极-源极电压（VGS）容忍度为 ±30V，最大漏极电流（ID）为 5A，使其适用于需要高电压耐受的中功率应用。

### FQP6N90C-VB 详细参数说明

- **封装：** TO220
- **配置：** 单极 N-Channel
- **漏极-源极电压（VDS）：** 900V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **门槛电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 1500mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）：** 5A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

### FQP6N90C-VB 应用示例

1. **高压开关电源：** FQP6N90C-VB 适用于高压开关电源（SMPS），如高电压的 DC-DC 转换器。其 900V 的漏极-源极电压能力使其能够在高电压环境下可靠工作，同时其 5A 的电流能力和相对较低的导通电阻确保了高效的电源转换。

2. **电机驱动电路：** 在电机驱动应用中，FQP6N90C-VB 可用于控制高电压电机的开关操作。其高电压处理能力和中等电流能力使其在需要高电压电机驱动的应用中表现良好，确保电机控制系统的稳定性和可靠性。