产品简介："### 一、IPD90R1K2C3-VB 产品简介
IPD90R1K2C3-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为需要高电压耐受能力的应用设计。其具有高达 900V 的漏源击穿电压和 7A 的漏极电流能力，适合在高压环境中稳定工作。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术，这种技术能够提供卓越的耐压和稳定性，确保在高电压应用中的可靠性和性能。

### 二、IPD90R1K2C3-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **沟道配置**：单极 N 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**：900V
- **栅极驱动电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：770mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**：7A
- **技术**：SJ_Multi-EPI（多层 EPI 技术）

### 三、应用领域与模块举例
1. **高压电源开关**：
IPD90R1K2C3-VB 的 900V 漏源击穿电压使其非常适合用于高压电源开关应用。在高电压直流电源的开关控制中，这款 MOSFET 可以提供稳定的开关性能，确保电源系统的安全和可靠。

2. **电源逆变器**：
在电源逆变器中，特别是需要处理高电压直流电的应用中，IPD90R1K2C3-VB 能够有效转换电能。其高电压耐受能力使其能够在逆变器中高效工作，提高电源转换的可靠性和效率。

3. **高压电源保护**：
IPD90R1K2C3-VB 可用于高压电源保护电路。在电源系统中，它可以作为保护开关，防止电压超标或过流情况对系统造成损害，确保电源系统的稳定性和安全性。