产品简介："### 产品简介

IRFR3607TRPBF-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有较低的导通电阻和高电流承载能力，适用于高效开关电路设计。率的开关应用。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **极性**: 单一 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 80V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 75A
- **功耗 (Ptot)**: 160W
- **结温 (Tj)**: 175°C
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C

### 应用领域与模块示例

1. **DC-DC 转换器**: 由于 IRFR3607TRPBF-VB 的低导通电阻和高电流处理能力，它非常适合用于高效 DC-DC 转换器。这种 MOSFET 可用于工业和消费电子中对电压进行高效的转换和稳压，特别是在对高电流需求的应用中表现出色。

2. **电机控制与驱动**: 在电机驱动和控制应用中，尤其是要求高速开关的电机驱动器，如电动工具和风扇，IRFR3607TRPBF-VB 的高电流承载能力和低导通损耗可以提高效率并减少发热。

3. **电源管理系统**: 在大功率电源管理模块中，例如服务器电源、通信设备和高性能计算设备，IRFR3607TRPBF-VB 提供了低功率损耗和高电流处理的特性，有助于实现更高效的能量传输和管理。