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IRLR3110ZTRPBF-VB
产品简介:"### 1. 产品简介:
IRLR3110ZTRPBF-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装类型为 TO252。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,专为高电压和高电流应用设计。
### 2. 详细参数说明:
- **型号**: IRLR3110ZTRPBF-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 10.5mΩ @ VGS=4.5V
- 8.5mΩ @ VGS=10V
### 3. 应用领域和模块:
- **电源管理**:IRLR3110ZTRPBF-VB 的 100V 漏极-源极耐压和低导通电阻使其在电源管理系统中表现出色,特别是在高功率 DC-DC 转换器和电源开关应用中。其高电流处理能力能够有效提高电源转换效率和系统稳定性。
- **电动控制系统**:在电动控制系统中,如电动门窗、座椅调节器和电动机械手臂,IRLR3110ZTRPBF-VB 可以作为功率开关使用。它的高电流能力和低导通电阻确保了系统的可靠性和响应速度。
- **汽车电子**:该 MOSFET 可用于汽车电子系统中的高电流应用,如电动窗户、电动座椅调节和灯光控制。其高电流能力和低导通电阻使其适合处理汽车中的高功率负载。