产品简介："### 产品简介：SI7461DP-T1-E3-VB

SI7461DP-T1-E3-VB 是一款单 P 型 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装，基于 Trench 技术设计，具有优异的电流承载能力和低导通电阻。
### 详细参数说明：

- **封装类型**：DFN8(5x6)
- **配置**：单 P 型 MOSFET（Single-P-Channel）
- **最大漏源电压 (VDS)**：-60V
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- VGS = 4.5V：28.8mΩ
- VGS = 10V：21mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：-36A
- **技术**：Trench 技术
### 应用领域和模块：

1. **电源管理系统**：
SI7461DP-T1-E3-VB 可广泛应用于电源管理系统中，特别是用于高效的 DC-DC 转换器和电源控制模块。在电源管理系统中，MOSFET 被用作负载开关和电流控制开关，帮助实现高效的电能转换和稳压输出。其低导通电阻使得功率损耗最小化，提高系统的整体效率。
2. **电池管理系统 (BMS)**：
在电池管理系统中，SI7461DP-T1-E3-VB 用于电池保护、电池充电和放电控制。其高效的开关特性可以帮助减少能量损失，优化电池的充放电效率，尤其是在需要承受高电流和高电压的电池管理应用中。
3. **电动交通工具**：
电动交通工具，如电动汽车（EV）、电动滑板车、无人机等，依赖高效的电源控制系统，SI7461DP-T1-E3-VB 可以作为功率开关使用。MOSFET 的低 RDS(ON) 和高电流承载能力能够保证电动机的高效启动和驱动，减少功率损失，从而提升续航里程和性能。