产品简介："### 产品简介

STB6NK90ZT4-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，适用于要求高电压和中等电流处理的应用。其最大漏源电压（VDS）为 900V，能够承受高达 7A 的漏极电流（ID），并且在 VGS=10V 时具有 950mΩ 的导通电阻（RDS(ON)）。该 MOSFET 使用 SJ_Multi-EPI 技术，优化了功率转换效率和开关特性，适用于高压应用中需要有效功率控制的场合。凭借其高耐压和低功耗特点，STB6NK90ZT4-VB 在工业设备、开关电源、逆变器等领域具有广泛的应用。

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### 应用领域和模块举例

1. **开关电源（SMPS）**
STB6NK90ZT4-VB 是一种理想的 MOSFET 选择，广泛应用于开关电源（SMPS）中，尤其是在高压电源转换器中。由于其高耐压（900V）和较低的导通电阻（950mΩ），该器件能够有效地控制高电压输入并保持高效率。它可以用于工业电源、LED 电源和电池充电器等应用中。

2. **逆变器和功率转换**
在太阳能逆变器和其他功率转换模块中，STB6NK90ZT4-VB 提供稳定的电流控制和高效的电力转换。它的高 VDS 和较低的 RDS(ON) 使其成为高效能、高可靠性功率转换系统的理想选择。该 MOSFET 适用于将直流电转换为交流电，特别是在需要高电压和中等电流的逆变应用中表现出色。