产品简介："##STD13N60M2-VB 产品简介

STD13N60M2-VB 是一款高性能单通道 N 型功率 MOSFET，采用 TO252（DPAK）封装，专为高电压应用设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 650V，栅源电压 (VGS) 可承受高达 ±30V，适用于各种高压电源管理和转换场合。STD13N60M2-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技术，在提供低导通电阻的同时，保持了较高的开关频率和较低的开关损耗。其导通电阻为 370mΩ（VGS=10V），最大漏极电流 (ID) 为 11A，能够支持高电压、大功率的应用需求。该 MOSFET 适合用于电源转换、电机控制、LED 驱动等多个领域，并提供了较高的可靠性和效率。

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##适用领域和模块的应用举例

1. **高电压电源管理**
- **AC-DC 电源转换器**：在 AC-DC 电源转换系统中，STD13N60M2-VB 可作为高效开关元件，提供高漏源电压承受能力（最高650V），同时降低导通损耗，优化转换效率，适用于家电电源、服务器电源等。


2. **电机驱动**
- **变频驱动器**：在变频驱动系统中，STD13N60M2-VB 可以高效地切换电流，确保电机的平稳运行，减少电流损耗和振荡，适用于高功率电机的调速和控制。


3. **LED 驱动电源**
- **LED 照明控制器**：在 LED 驱动电源中，STD13N60M2-VB 的低导通电阻特性帮助提升系统效率，减少功率损失，并能够高效地驱动大量 LED 照明系统，适用于商业照明、建筑照明和车辆照明系统。