产品简介："### 1. **产品简介**

STN1NK60Z-VB 是一款采用 SOT223 封装的单极性 N 沟道 MOSFET，设计用于高压应用，具有 650V 的漏源电压（VDS）和 1A 的最大漏电流（ID）。该器件采用 Plannar 技术，提供稳定的开关性能和适中的导通电阻（RDS(ON)）。其阈值电压（Vth）为 3.5V，适合于各种高压开关电源、电机驱动和高压电力控制系统中。


### 3. **应用领域与模块**

**1. 高压开关电源**
- STN1NK60Z-VB 适用于高压开关电源（SMPS）中，尤其是在需要高耐压（650V）的应用中。在电源管理模块中，这款 MOSFET 可以用作高压开关元件，进行高效的功率转换。由于其较高的耐压能力和稳定的开关性能，该 MOSFET 特别适合用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和逆变器等高电压转换系统中。

**2. 电机驱动系统**
- 由于其高电压承受能力和相对较低的漏电流，STN1NK60Z-VB 可广泛应用于电机驱动系统中，尤其是在工业电动机、家用电器电动机等控制中。它可以有效地开关高压电源，从而实现对电机的精确控制。无论是在家电产品如洗衣机、空调，还是在工业自动化设备如机器人和输送带系统中，这款 MOSFET 都能提供稳定的性能和高效的电流控制。