产品简介："### . **STW48NM60N-VB 产品简介：**

STW48NM60N-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 TO247 封装，专为高电压、大电流应用设计。它具备 650V 的最大漏源电压（VDS）和 47A 的最大漏极电流（ID），适用于高电压、大功率的电力电子系统。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术（超级结多重外延技术），能够提供低导通电阻（RDS(ON)），减少功率损耗并提高开关效率。这款 MOSFET 适合用于电力转换、逆变器、电动机驱动等高压高效能的应用，广泛应用于工业电力、可再生能源、自动化系统等领域。



### **应用领域及模块示例：**

**1. 高压开关电源（SMPS）：**
STW48NM60N-VB 具备 650V 的最大漏源电压和 47A 的最大漏极电流，适用于高压开关电源（SMPS）。这种 MOSFET 可以有效地处理大功率电源转换，减少能量损耗并提高电源的效率。在工业电源、通讯电源和不间断电源（UPS）系统中，STW48NM60N-VB 的低导通电阻（RDS(ON)）能够显著降低电源转换过程中的热量和功耗。

**2. 逆变器（Inverters）：**
STW48NM60N-VB 是一款非常适合用于逆变器应用的 MOSFET，尤其在太阳能逆变器、电动汽车充电逆变器和风力发电逆变器中表现突出。其高耐压（650V）和大电流承载能力（47A）使其能够承受高功率电流负荷。低 RDS(ON) 值确保了更高的开关效率和更低的功率损耗，是高效能源转换的重要组成部分。