常规产品
AZV4CL120L012G1（1.2KV碳化硅MOS）
产品简介：AZV4CL120L012G1 采用低 RDS(ON)设计， 以将传导损耗降至最低。硅技术和封装技术的进步相结合，实现了最低的 RDS(ON)，同时保持出色的性能。
最大 RDS(ON) = 20 mΩ，VGS = 20 V，ID = 100 A
最大 RDS(ON) = 25 mΩ，VGS = 18 V，ID = 100 A
高阻断电压与低导通电阻。
低寄生电容实现高速开关。
超低反向恢复电荷的快速体二极管。
雪崩耐受型高可靠性碳化硅MOSFET。
开尔文检测引脚实现精准栅极驱动。
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