海驰科技股份有限公司
Azuremoto Technology Inc.
国家和地区： 中国台湾
展位号： N5.745
公司简介： 海驰科技股份有限公司成立于2024年9月，专注深耕高效能功率半导体组件(MOSFET & IGBT)设计。凭借着专业研发设计能力与经验、和与晶圆代工与封装测试伙伴的紧密合作，为客户提供高性能、高信赖性及卓越服务成本比之全方位满足客户需求的服务。
海驰科技总部设在台湾新竹台元园区，办事处在台湾台北及中国济南。
经营理念
1.拥有业界一流的技术研发、业务营销及行政管理团队，助力海驰迅速成长茁壮；
2.专注于「专业功率半导体设计」本业，致力于先进技术的的发展；
3.放眼世界市场，国际化经营。 专注长期策略，追求永续经营；
4.愿景是海驰目标成为技术领导者，以服务为导向，是户最大整体利益的提供者。
主要商品/服务项目
主要核心竞争力来自于功率半导体的研发，从产品设计、技术研发、自有品牌营销全球，提供客户全方位式的功率半导体完整解决方案。
主要产品包含全系列分离式功率组件(Discrete Power Devices)
1.车用功率半导体
2.整流二极管产品
3.小信号二极管/三极体/MOSFE
4.功率MOSFE
5.IGBT
6.宽能隙产品系列, 包含SiC, GaN
相关产品
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AZGG08N2R7(80V N-MOS)
AZGG08N2R7 通过优化设计实现低导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低导通损耗。该器件结合了硅材料与封装技术的双重改进，在保持优异性能的同时，提供行业领先的最低导通电阻。
最大导通电阻 RDS(ON) = 2.7mΩ（条件：VGS=10V，ID=20A）
最大导通电阻 RDS(ON) = 3.5mΩ（条件：VGS=6V，ID=20A）
低反向恢复电荷，软恢复体二极管。
低栅极电荷与低电容设计，显著降低驱动损耗。
生产过程中100%进行非钳位电感开关（UIS）测试。
MSL1级。了解详情
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AZGG03N2R7（30V N-MOS）
AZGG03N2R7 专为电源转换应用设计，可最大限度降低损耗。通过结合硅材料和封装技术的改进，该器件在保持优异性能的同时实现了最低导通电阻（RDS(ON)）。
最大导通电阻 RDS(ON) = 2.7mΩ（条件：VGS=10V，ID=20A）
最大导通电阻 RDS(ON) = 4.5mΩ（条件：VGS=4.5V，ID=10A）
低栅极电荷。
低输入电容。
高电流承载能力。
生产过程中100%进行非钳位电感开关（UIS）测试。
MSL1级。了解详情
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AZSDV60D120G1（1.2KV碳化硅二极管）
AZSDV60D120G1 采用低正向压降设计，以将传导损耗降至最低。硅技术和封装技术的进步相结合，实现了最低的正向压降。
最大 VF = 1.6V，Tj = 25℃，IF = 30 A
最大 VF = 2.5V，Tj = 175℃，IF = 30 A
零反向恢复电流/零正向恢复电压。
具有正温度系数的低正向压降。
温度无关型开关特性。了解详情
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