常规产品
AZGG08N2R7(80V N-MOS)
产品简介：AZGG08N2R7 通过优化设计实现低导通电阻（RDS(ON)），以最大限度降低导通损耗。该器件结合了硅材料与封装技术的双重改进，在保持优异性能的同时，提供行业领先的最低导通电阻。
最大导通电阻 RDS(ON) = 2.7mΩ（条件：VGS=10V，ID=20A）
最大导通电阻 RDS(ON) = 3.5mΩ（条件：VGS=6V，ID=20A）
低反向恢复电荷，软恢复体二极管。
低栅极电荷与低电容设计，显著降低驱动损耗。
生产过程中100%进行非钳位电感开关（UIS）测试。
MSL1级。
