常规产品
AZGG03N2R7（30V N-MOS）
产品简介：AZGG03N2R7 专为电源转换应用设计，可最大限度降低损耗。通过结合硅材料和封装技术的改进，该器件在保持优异性能的同时实现了最低导通电阻（RDS(ON)）。
最大导通电阻 RDS(ON) = 2.7mΩ（条件：VGS=10V，ID=20A）
最大导通电阻 RDS(ON) = 4.5mΩ（条件：VGS=4.5V，ID=10A）
低栅极电荷。
低输入电容。
高电流承载能力。
生产过程中100%进行非钳位电感开关（UIS）测试。
MSL1级。
