产品简介："**型号简介：IRFHM792TRPBF-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：QFN8(3X3)**

**关键参数：**
- **沟道类型：** Dual-N+N
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.8V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 71mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 12.1A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
IRFHM792TRPBF-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 100V 的漏源电压和 12.1A 的漏极电流使其适用于多种高功率应用场景。该器件采用先进的沟槽技术，确保了高效的开关性能和低功耗。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，IRFHM792TRPBF-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块以及电池管理系统（BMS）中的功率开关。

2. **电机驱动模块：** 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动电路，尤其是在需要高效率和快速开关的场合。

3. **工业自动化：** 在工业控制系统中，IRFHM792TRPBF-VB 可用于继电器驱动、PLC 模块以及各种高功率开关应用。

4. **汽车电子：** 该 MOSFET 适用于汽车中的电子控制单元（ECU）、LED 驱动、以及电动助力转向（EPS）系统等需要高可靠性和高功率密度的场合。