产品简介："**型号简介：FDMC7208S-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：QFN8(3X3)**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Half-Bridge-N+N
- **VDS（漏源电压）：** 30V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：16mΩ
- VGS=10V时：9mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 35A
- **技术：** Trench

**产品简介：**
FDMC7208S-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能半桥 N+N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率和高功率密度的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，FDMC7208S-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电源管理模块，能够显著提升电源系统的效率。

2. **电机驱动模块：** 该器件适用于电机驱动模块，特别是在需要高效率和快速开关的应用中，如电动工具、无人机和机器人等。

3. **电池管理系统（BMS）：** 在电池管理系统中，FDMC7208S-VB 可以用于电池保护电路和充放电控制模块，确保电池的安全和高效运行。

4. **LED 驱动模块：** 由于其高开关频率和低导通损耗，该器件也适用于 LED 驱动模块，能够提供稳定的电流输出和高效的能源利用。

5. **工业自动化：** 在工业自动化设备中，FDMC7208S-VB 可以用于各种功率开关和控制电路，确保设备的高效和可靠运行。