产品简介："**型号简介：FDMC8200S-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：QFN8(3X3)**

**主要参数：**
- **沟道类型**：Half-Bridge-N+N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：VGS=4.5V时为16mΩ，VGS=10V时为9mΩ
- **ID（最大漏极电流）**：35A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
FDMC8200S-VB是VBsemi推出的一款高性能半桥N沟道MOSFET，采用QFN8(3X3)封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其30V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其在多种应用中表现出色。该器件采用先进的沟槽技术，进一步降低了导通损耗，提升了效率。

**适用领域：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，FDMC8200S-VB非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关模块，能够有效提升电源系统的效率和可靠性。

2. **电机驱动模块**：在电机驱动应用中，该器件能够提供高效的功率开关，适用于无人机、机器人、电动工具等领域的电机控制模块。

3. **电池管理系统（BMS）**：在电池保护和管理系统中，FDMC8200S-VB可用于电池充放电控制，确保电池的安全和高效运行。

4. **LED驱动模块**：该器件也可用于LED驱动电路，提供稳定的电流控制，适用于照明和显示设备。