产品简介：### 详细参数说明

**型号名称**: FDMC7200S-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: QFN8(3X3)
**沟道类型**: Half-Bridge-N+N
**VDS (漏源电压)**: 30V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: 1.7V
**RDS(on) (导通电阻)**:
- VGS=4.5V: 16mΩ
- VGS=10V: 9mΩ
**ID (最大漏极电流)**: 35A
**技术**: Trench (沟槽技术)

### 应用简介

FDMC7200S-VB 是一款采用 QFN8(3X3) 封装的半桥 N+N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力。其 30V 的漏源电压和 ±20V 的栅源电压范围使其适用于多种中低压应用场景。该器件采用先进的沟槽技术，能够在较低的栅极驱动电压下实现较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高效率。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**:
FDMC7200S-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源等电源管理模块。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度的应用中。

2. **电机驱动模块**:
在电机驱动模块中，FDMC7200S-VB 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机。其半桥结构非常适合用于 H 桥电机驱动电路，能够提供高效的电机控制和驱动能力。

3. **电池管理系统 (BMS)**:
该器件适用于电池管理系统中的充放电控制电路。其低导通电阻和高电流处理能力有助于减少电池充放电过程中的能量损耗，从而提高电池的使用效率和寿命。