产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: FDMC7200-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: QFN8 (3X3)
**沟道类型**: Half-Bridge-N+N
**VDS (漏源电压)**: 30V
**VGS (栅源电压)**: ±20V
**Vthtyp (典型阈值电压)**: 1.7V
**RDS(on) (导通电阻)**:
- VGS=4.5V: 16mΩ
- VGS=10V: 9mΩ
**ID (最大漏极电流)**: 35A
**技术**: Trench (沟槽技术)

### 应用简介

FDMC7200-VB 是一款采用 QFN8 (3X3) 封装的半桥 N+N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 VDS 为 30V，适用于中低压应用场景。VGS 范围为 ±20V，提供了较高的栅极驱动灵活性。典型阈值电压为 1.7V，使得该器件在低电压驱动下也能有效工作。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 16mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻进一步降低至 9mΩ，表明其在较高栅极电压下具有更低的功耗和更高的效率。最大漏极电流为 35A，适用于高电流应用。采用 Trench 技术，进一步优化了器件的开关性能和热管理。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**:
FDMC7200-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使得其在高效能电源设计中表现出色，尤其是在需要高效率和低功耗的应用中。