产品简介："### 型号应用简介

**DMP6050SFG-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其设计基于 Trench 技术，适用于高效率、低功耗的应用场景。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 75mΩ，在 VGS=10V 时进一步降低至 60mΩ，能够有效减少功率损耗。其 VDS 额定值为 -60V，VGS 范围为 ±20V，Vth 典型值为 -1.6V，适合用于需要高电压和中等电流的电路设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single P-Channel
单 P 沟道设计，适用于需要负电压驱动的电路。

- **VDS（漏源电压）**：-60V
能够承受高达 -60V 的电压，适合中高压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，适应性强。

- **Vth（阈值电压）**：-1.6V
低阈值电压有助于降低驱动电路的复杂性。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：75mΩ
- VGS=10V 时：60mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了效率。

- **ID（漏极电流）**：-11A
能够承载高达 -11A 的电流，适合中等功率应用。

- **技术**：Trench
Trench 技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度。