产品简介："**型号简介：NTTFS5116PLTAG-VB**

NTTFS5116PLTAG-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能单沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有优异的电气特性和可靠性。该器件适用于多种高效率和低功耗的应用场景，特别是在需要高电压和低导通电阻的电路中表现出色。

**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：** -60V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vth（阈值电压）：** -1.6V
- **导通电阻（RDS(on)）：**
- VGS=4.5V 时：75mΩ
- VGS=10V 时：60mΩ
- **ID（漏极电流）：** -11A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**应用领域：**
1. **电源管理模块：**
由于其低导通电阻和高电压承受能力，NTTFS5116PLTAG-VB 非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）中的功率开关模块，能够有效降低功耗并提升系统效率。

2. **电机驱动模块：**
该器件可用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制模块。

3. **工业自动化：**
在工业自动化设备中，NTTFS5116PLTAG-VB 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和其他高功率控制模块，提供稳定的性能和高效的功率转换。

4. **汽车电子：**
该 MOSFET 适用于汽车电子中的功率开关应用，如 LED 驱动、车载充电器和电源分配模块，满足汽车行业对高可靠性和高效率的要求。