产品简介："### 型号应用简介

**NVTFS5116PLTWG-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **QFN8(3X3)** 封装。该器件具有 **-60V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于多种高效率和低功耗的应用场景。其 **-1.6V** 的典型阈值电压（Vthtyp）和低导通电阻（RDS(on)）使其在低电压驱动下表现出色，特别适合需要高电流和高效率的电路设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single P-Channel
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：-1.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：75mΩ
- VGS=10V 时：60mΩ
- **漏极电流（ID）**：-11A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **NVTFS5116PLTWG-VB** 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **电源管理模块**。其低导通电阻和高电流能力使其在 **降压转换器（Buck Converter）** 和 **升压转换器（Boost Converter）** 中表现出色，能够有效降低功耗并提高转换效率。

2. **电机驱动模块**：
- 在 **电机驱动模块** 中，该 MOSFET 可以用于 **H桥电路** 或 **半桥电路**，驱动小型电机或步进电机。其高电压和电流能力使其能够承受电机启动时的瞬态电流，同时保持较低的功耗。