产品简介："### 型号应用简介

NVTFS5116PLTAG-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率的电源管理和功率开关应用。其负电压操作特性使其特别适合在需要负电压驱动的电路中工作，如负电压电源、电机驱动和逆变器等。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single-P (N 沟道)
- **漏源电压 (VDS)**：-60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-1.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：75 mΩ
- VGS=10V 时：60 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-11A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：NVTFS5116PLTAG-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力有助于减少功率损耗，提高整体效率。
- **模块**：在同步整流器和降压转换器中，该 MOSFET 可以作为开关元件，提供高效的电源转换。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，NVTFS5116PLTAG-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其负电压操作特性使其适合用于需要负电压驱动的电机控制电路。
- **模块**：在步进电机驱动器和无刷直流电机驱动器中，该 MOSFET 可以作为功率开关，提供精确的电机控制。