产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVTFS5116PLWFTWG-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：QFN8(3X3)**
**沟道类型：Single P-Channel**
**VDS（漏源电压）：-60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：-1.6V**
**RDS(ON)（导通电阻）：VGS=4.5V时75mΩ，VGS=10V时60mΩ**
**ID（漏极电流）：-11A**
**技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明

NVTFS5116PLWFTWG-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 P 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有较低的导通电阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 时为 75mΩ，在 VGS=10V 时为 60mΩ，能够有效降低功率损耗。其漏源电压（VDS）为 -60V，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，典型阈值电压（Vthtyp）为 -1.6V，漏极电流（ID）为 -11A。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术（Trench），具有较高的开关效率和可靠性。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
NVTFS5116PLWFTWG-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和电源开关等应用。例如，在便携式设备中，该 MOSFET 可以用于电池充放电管理，确保设备在低功耗状态下运行。